未固化特性 |
檢測(cè)說(shuō)明 |
檢測(cè)方法 |
密度 3.5g/cc
填充劑 銀
粘性@ 25℃ 8000cps
觸變指數(shù) 5.6
使用壽命@ 25℃ 18小時(shí)
保存時(shí)間@ -40℃ 1年 |
比重瓶
Brookfield CP51@5rpm
粘性@0.5/粘性@5rpm
%填充劑物理使用壽命 |
PT-1
PT-42
PT-61
PT-12
PT-13 |
固化處理數(shù)據(jù) | ||
建議固化條件 1小時(shí)@ 175℃
或者(1) 3-5℃/分升溫到175℃+1小時(shí)@175℃
這種升溫固化降低結(jié)合面溫度,讓溶劑揮發(fā)并增加強(qiáng)度。 | ||
固化重量損失 5.3% |
載玻片上10×10mm 硅芯片 |
PT-80 |
固化前物理化學(xué)特性 |
檢測(cè)說(shuō)明 |
檢測(cè)方法 |
離子型表面活性劑 氯化物 5ppm
鈉 3ppm
鉀 1ppm
抽水傳導(dǎo)性 13mmhos/cm
pH 6
重量損失@300℃ 0.35%
玻璃轉(zhuǎn)化溫度 120℃
熱膨脹系數(shù)
低于Tg 40 ppm/℃
高于Tg 150 ppm/℃
動(dòng)態(tài)拉伸模量
@-65℃ 4380Mpa
(640Kpsi)
@25℃ 3940Mpa
(570Kpsi)
@150℃ 1960Mpa
(280Kpsi)
@250℃ 300Mpa
(44Kpsi)
吸濕率
@飽和 0.6% |
特氟綸燒瓶
5 gm 樣品/20-40篩網(wǎng)
5 gm DI水
保持100℃ 24小時(shí)
熱解重量分析
TMA滲透模式
TMA 膨脹模式
動(dòng)力熱解分析
使用
<0.5mm厚度的樣品
動(dòng)態(tài)蒸發(fā)吸附作用
85℃/85% RH曝光以后 |
CT-13
CT-6 CT-7
PT-20
MT-14
MT-9
MT-12
PT-65 |
固化后電熱特性 |
||
導(dǎo)熱性 2.5W/m。K
@121℃
體積電阻率 0.0001 ohm-cm |
C-MATIC 導(dǎo)電檢測(cè)器
4點(diǎn)探測(cè) |
PT-40
PT-46 |
固化后機(jī)械特性 |
檢測(cè)說(shuō)明 |
檢測(cè) 方法 |
芯片剪切強(qiáng)度 @25℃ 19kg/die
芯片剪切強(qiáng)度和溫度
@25℃ @200℃ @250℃
21kg/die 2.9kg/die 1.7kg/die
11kg/die 2.6kg/die 1.4kg/die
27kg/die 2.4kg/die 2.0kg/die
85℃/85% RH曝光168小時(shí)以后芯片剪切強(qiáng)度
@25℃ @200℃
12kg/die 1.8kg/die
10kg/die 2.5kg/die
23kg/die 1.8kg/die
芯片熱變形@25℃與芯片大小
芯片尺寸 熱變形
7.6×7.6mm(300×300mil) 19mm
10.2×10.2mm(400×400mil) 32mm
12.7×12.7mm(500×500mil) 51mm
碎片熱變形與固化后電熱處理2
固化后 +絲焊 +鑄型烘焙后
(1分鐘@250℃) (4小時(shí)@175℃)
20mm 29mm 28mm
22mm 30mm 28mm
數(shù)據(jù)由改變升溫處理?xiàng)l件獲得。 |
2×2mm(80×80mil)硅芯片
3×3mm(120×120mil)硅芯片
基材
銀/銅引線框架
裸銅引線框架
鈀/鎳/銅引線框架
3×3mm(120×120mil)硅芯片
基材
銀/銅引線框架
裸銅引線框架
鈀/鎳/銅引線框架
0.38 mm(15mil)厚的硅芯片
在0.2mm厚的銀/銅引線框架上
7.6×7.6×0.38mm(300×300×15mil)硅芯片
在0.2mm(8 mil)厚的LF上
基材
銀/銅引線框架
裸銅引線框架 |
MT-4
MT-4
MT-4
MT-15
MT-15 |